三星电子制程抢先，首要量产 18 纳米 DRAM手机IC芯片，把同业抛在脑后。竞赛对手美光（Micron）和 SK 海力士（SK Hynix）不甘示弱，纷乱砸钱要追上三星。

　台积电和三星的角力现已将英特尔甩向一旁。上星期，三星正式宣告拆分其代工事务变成独立单位——Samsung Foundry，一起方案在2018年7nm节点导入EUV微影技能，以及方案2020年量产4纳米FinFET技能。

　　三星电子(Samsung Electronics)日前更新其代工技能方案，具体介绍该公司的第二代FD-SOI渠道发展、多种块材硅(bulk silicon) FinFET技能微缩至5nm，以及方案在2020年推出4nm“后FinFET”构造技能。

　　三星在上星期宣告拆分其代工事务变成独立单位，称为Samsung Foundry，一起重申从前发布的方案——在2018年7nm节点时将极紫外光(EUV)微影技能投入出产。

　　三星代工推广资深总监Kelvin Low表明：“咱们极其积极地运营咱们的开发方案，不仅仅作方案，并且也宣告将来三到四年内要做的事。”

　　在该公司于加州举办的年度代工技能论坛上，三星手机IC芯片发布的严重技能打破是其专有的下一代产品架构，称为多桥通道场效晶体管(MBCFET)。据称这种构造是三星自行开发的全包覆式闸极场效晶体管(GAAFET)专有技能，选用纳米薄片组件，战胜FinFET架构的实体微缩与功能约束。

　　三星的开发方案方案在2020年时以4nm低功耗(LPP)技能投产MBCFET技能。

　　而从现在到2020年，三星估计本年将投产8nm LPP技能，明年推出搭配EUV微影的7nm LPP技能，而在2019年方案推出5nm和6nm LPP技能。

　　EUV长久以来许诺可成功完成193nm滋润式微影技能，现在终于发展到行将投入出产之际。三星首要的竞赛手——台积电(TSMC)与Globalfoundries，均已宣告在2019年将EUV用于出产的方案了。

　　三星已在技能开发中展示250W EUV光源出产的方针。依据Low，透过EUV微影，可望到达天天1,500万片晶圆的产能。三星现在已能到达每日1,000片晶圆产能，并且有决心很快就能完成1,500万片晶圆产能的方针。

　　“咱们有决心能预备好在2018年将EUV投入出产，”Low说：“这现已不再仅仅概念性的开发方案。”

　　Low表明，相较于其竞赛对手，手机IC芯片三星将10nm节点视为“长前置期节点”(long-lead node)，即在适当长的一段时间内可为客户供给领先设计所请求的功能和功耗。

　　“只需功耗、功能和出产规模到达预期的方针，咱们以为这就会是一个十分有出产力的节点，”Low说。

　　三星还具体介绍了方案在2019年投入出产的18nm FD-SOI技能技能。估计在供给第二代FD-SOI渠道之前，该公司将藉由结合射频(RF)与嵌入式MRAM，逐步扩展示有的28nm

　　FD-SOI技能至更广泛的渠道。相较于上一代渠道，三星估计其第二代FD-SOI渠道功耗更低40%、功能和尺度优势也提升了20%。