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三星的3D闪存V-NAND目前开展到了第七代，最高176层，原本计划在去年末量产，但由于NAND闪存价格下滑等要素，三星选择推迟量产，本年Q1季度才会正式量产，导致技术上稍微落后于美光等公司。
不过三星鄙人一代闪存上有望追回来，最快本年末明年初推出第八代V-NAND闪存，库房层数首次超过200层，之前传闻是228层，现在的说法是224层，相当于在128层基础上再库房96层。
音讯称，三星的224层闪存功能也很不错，数据速度进步了30%，一同出产功率也进步了30%。
此外，三星的224层闪存技术难度也很高，之前三星是仅有一家运用单库房技术完成128层闪存的公司，这次的224层则运用了双库房技术，技术应战非常严峻。
去年12月发布后，市面上已经有多款搭载骁龙8 Gen1处理器的手机在售。工厂电子ic芯片回收，深圳手机ic芯片回收公司标准方面，现款骁龙8 Gen1选用三星4nm工艺打造，CPU 8核设计，GPU功能相较前代进步显着。
不过，早在骁龙8 Gen1推出前，就有爆料称高通还有一颗依据台积电4nm的增强版SM8475在准备中，可做差异的是，骁龙8 Gen1内部类型SM8450。
今天清晨（2月10日），爆料能手手机晶片达人给出音讯，“高通期望台积电提早交给4nm骁龙8 Gen1 plus以替代目前的骁龙8 Gen1”。
此前，WinFuture也确认了骁龙8 Gen1 Plus，由此来看证明的信号越来越强。
除了工艺方面的改变，骁龙8 Plus估量CPU频率、工厂电子ic芯片回收，深圳手机ic芯片回收公司芯片能效等或许会有小幅进步，整体与骁龙8不会有太大差异。
外界有预估骁龙8 Gen1 Plus手机会在7月份连续上台，从时间点来看，小米12 Ultra/MIX 5等设备有望第一批选用。
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